五色影院 纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司罢了SOT-MRAM存储要害阻扰
发布日期:2024-12-27 16:47 点击次数:110
快科技12月26日音问五色影院,据媒体报谈,在海外微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项阻扰性的SOT-MRAM(自旋轨谈矩磁性赶紧存取存储器)技巧证据,处理了该技巧在大边界出产中面对的主要挑战。
驰拓科技初度提倡了相宜大边界制造的无轨谈垂直型SOT-MRAM器件结构,权臣镌汰了SOT-MRAM工艺历程的复杂性和难度,并从旨趣上晋升了器件良率。
该结构的更正之处在于将MTJ径直舍弃在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,从而大幅度增多了刻蚀窗口,镌汰了刻蚀过程的难度。
这一阻扰性打算使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%晋升至杰出99.9%,达到了大边界制造的条款。
同期,该器件罢了了2纳秒的写入速率,杰出1万亿次的写入/擦除操作次数(测量时辰上限),而且具备执续微缩的后劲。
爰唯侦察bt核工厂传统决议
驰拓科技更正决议
据了解,SOT-MRAM领有纳秒级写入速率和无尽次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技巧,有望处理面前SRAM资本及静态功耗过高级问题。
不外SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特殊是传统决议从旨趣上导致刻蚀良率低五色影院,严重制约了其大边界出产与诈欺。
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